化学进展

作者：张旭强, 吕功煊

单位：<sup class=\mag-xml-aff-label-sup added-by-sys\>1.</sup> 中国科学院兰州化学物理研究所羰基合成与选择氧化国家重点实验室 兰州 730000

关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,光电极,水分解,保护层薄膜

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(如GaAs、InP、GaP等)具有抗辐射性能高、温度特性好、耐高温等特点。相比于其他材料构建的光电催化体系,由这类半导体构成的光电极具有更高的太阳能吸收效率和光电转换效率。然而,大多数Ⅲ-Ⅴ族半导体在水溶液电解质中的物理化学性质很不稳定,导致太阳能驱动分解水性能衰减较快。基于此,本文综述了薄膜保护层在改善Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极电化学稳定性方面的主要成就和研究现状,分析总结了获得稳定高效的光电反应界面和分解水效率的策略,探讨了导致材料衰减的原因和相应改善措施,最后展望了薄膜保护策略的未来发展前景。

来源：2020年第9期

《化学进展》期刊编辑部

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